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삼성전자가 인공지능(AI) 산업 핵심 부품인 고대역폭 메모리(HBM)의 7세대 제품 HBM4E의 샘플 출하를 세계 최초로 시작했다.

올해 2월 HBM4(6세대)를 세계 최초로 양산 출하한 데 이어, 불과 3개월 만에 다음 세대 제품 샘플까지 선제적으로 공급하며 차세대 AI 메모리 시장 주도권 굳히기에 나서는 모습이다.

삼성전자는 업계 최고 성능의 HBM4E 12단 샘플을 출하했다고 29일 밝혔다.

삼성전자의 HBM4E는 전작 HBM4에서 검증된 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용했다.

특히 설계 및 공정 최적화를 통해 업계 최고 수준의 성능을 구현했다. 핀당 동작 속도는 14Gbps(초당 기가비트)에서 최대 16Gbps까지 지원한다. 이는 전작 HBM4 대비 20% 이상 향상된 수치다.

또 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트)의 대역폭을 제공함으로써 대규모 언어 모델(LLM) 및 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 극대화했다.

용량 측면에서도 개선됐다. HBM4E 12단 제품은 48GB(기가바이트)의 고용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸으며, 향후 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 확대할 방침이다.

이와 함께 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선됐다.

업계에서는 HBM4 세대부터 고객 맞춤형 설계 대응과 안정적인 대량 공급 역량이 핵심 경쟁력으로 부상할 것으로 보고 있다. 이에 메모리·파운드리(반도체 위탁생산)·패키징 역량을 모두 보유한 삼성전자의 강점이 부각될 수밖에 없다는 평가다.

삼성전자가 지난 3월 엔비디아 GTC 2026에서 제시한 로드맵보다 빠르게 HBM4E 샘플 공급에 나선 점도 주목된다. 차세대 HBM 개발과 고객 검증 속도를 예상보다 빠르게 끌어올리고 있다는 분석이다.

HBM은 그래픽처리장치(GPU)·주문형반도체(ASIC) 업체와 공동 검증 및 최적화 기간이 긴 만큼, 업계에서는 샘플 공급 시점 자체가 향후 양산 공급망 진입 가능성과 직결되는 것으로 보고 있다.

삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 개발 담당 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다"며 "앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것"이라고 말했다.

삼성전자는 HBM4 양산 공급도 확대 중이다.

1c D램과 4나노 기반의 HBM4가 안정적으로 양산되고 있다는 점에서 HBM4E 역시 안정적인 양산 전환 가능성이 높을 것으로 관측된다.

삼성전자 HBM4는 지난해 말 최종 인증 단계인 시스템 인 패키지(SiP) 테스트에서 업계 최고 수준인 11.7Gbps 속도를 입증한 바 있다.

증권가에서도 삼성전자의 HBM 성장 가능성에 주목하고 있다. 투자은행 UBS는 최근 삼성전자의 공격적인 투자 확대를 반영해 내년 HBM 출하량 전망치를 상향 조정했으며, 주요 증권사들도 HBM4와 고부가 AI 메모리 공급 확대에 따라 메모리 실적 개선 폭이 커질 것으로 전망했다.

한편 SK하이닉스도 조만간 HBM4E를 출하할 것으로 예상되면서 삼성전자와의 HBM4E 시장 경쟁도 한층 치열해질 전망이다. SK하이닉스는 당초 올해 하반기 HBM4E 샘플 출하를 계획했지만, 최근 제품 개발이 순조롭게 진행되면서 일정이 앞당겨진 것으로 알려졌다.

 

연합뉴스제공 (케이시애틀 제휴사)